A Hynix bejelentette a 40nm –es 1Gb DDR3 DRAM –ot
A tömeges gyártás időpontját elcsúsztatták 2009 harmadik negyedére az új memória -nak...
A két vezető processzorgyártó cég, az Intel és az AMD, most már készen állnak, hogy támogatást nyújtsanak a következő generációs DDR memóriákhoz, a DDR3 memória technológiához, amelynek köszönhetően magasabb szintű teljesítményt és kedvezőbb energiafogyasztást lesznek képesek elérni. Most, a Hynix Semiconductor bejelentette, hogy kifejlesztettek egy 1Gb -es (1-gigabit) DDR3 DRAM -ot, amely a 40nm -es feldolgozó technológiára épült.
A Hynix bejelentette a 40nm -es 1GB DDR3 DRAM -ot
A cég szerint, az új 1Gb -es memória chip úgy lett kialakítva, hogy támogassa az Intel DDR3 DRAM specifikációkat. Az új chip nemsokára át lesz adva a Santa Clara, Kaliforniai központú chipgyártónak hitelesítésre. A teljesítmény növekedésével arányosan, az új Hynix DDR3 DRAM elmondások szerint maximum 2133Mbps (megabit/sec) adatátviteli sebességre képes. A legfrissebb hírek szerint, amelyet a Digitimes jelentetett meg mostanság, a tömeges gyártása a chipnek el lett tolva 2009 harmadik negyedére.
A Hynix bejelentette a 40nm -es 1GB DDR3 DRAM -ot
A memória gyártó cég azt is mondta, hogy ha bővítik ezzel a 40nm -es chipel más termékek felszereltségét, mint például adattároló memória modulok, mobil DRAM és grafikus DRAM -ok, az nagy mértékben növelheti a teljesítményt és ezzel egy időben csökkentheti a szükséges áram felvételét. Gondoltak itt az SSD tárolókra, laptop memóriákra és grafikus kártyák memóriáira is.
KB - MCOnet
Szóljon hozzá a Számítástechnika fórumon!: Számítógép, technika: A Hynix bejelentette a 40nm -es 1GB DDR3 DRAM -ot
További számítástechnika híreink a számítógép portálon:
www.szamitogep.biz
